Описание
3818009000 - ПРОЧИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, КРОМЕ КРЕМНИЯ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ДИСКОВ, ПЛАСТИН ИЛИ В АНАЛОГИЧНЫХ ФОРМАХ; ПРОЧИЕ СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ
38
Прочие химические продукты
381800
Элементы химические легированные, предназначенные для использования в электронике, в форме дисков, пластин или в аналогичных формах; соединения химические легированные, предназначенные для использования в электронике:
Тарифы и пошлины на код ТН ВЭД 3818 00 900 0 (обновлено 01.05.2026)
Импортная пошлина
0%
Экспортная пошлина
0%
Ввозной НДС
20%
Акциз
0%
Документы на экспорт 3818 00 900 0
| Разрешение | Требуется | Описание |
|---|---|---|
| Пошлина | нет | |
| Фитосанитарный сертификат | нет | |
| Ветеринарный сертификат | нет | |
| Сертификат радиационной безопасности | нет | |
| Лицензирование | ! может требоваться | Товар не требует лицензирования, кроме товаров, входящих в Перечень товаров двойного назначения и имеющих следующие характеристики: 3.3.1.1. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Кремний (Si)3.3.1.2. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Германий (Ge)3.3.1.3. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Карбид кремния (SiC)3.3.1.4. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Соединения III - V на основе галлия или индия3.3.5. Полупроводниковые подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлияалюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 100 Ом·м при 20 °C3.3.6. Подложки, определенные в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN)6.3.2.2. Материалы оптических датчиков: Монокристаллы (включая пластины с эпитаксиальными слоями) любого из следующего: а) теллурида цинка-кадмия (CdZnTe) с содержанием цинка менее 6% по мольным долям; б) теллурида кадмия (CdTe) любой чистоты; или в) теллурида ртути-кадмия (HgCdTe) любой чистотыПриказ ФТС России № 575 от 27.03.2012 |
| Квотирование | нет |
Документы на импорт код 3818 00 900 0
| Разрешение | Требуется | Описание |
|---|---|---|
| Пошлина | нет | |
| Фитосанитарный сертификат | нет | |
| Ветеринарный сертификат | нет | |
| Сертификат радиационной безопасности | нет | |
| Лицензирование | ! может требоваться | Товар не требует лицензирования, кроме товаров, входящих в Перечень товаров двойного назначения и имеющих следующие характеристики: 3.3.1.1. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Кремний (Si)3.3.1.2. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Германий (Ge)3.3.1.3. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Карбид кремния (SiC)3.3.1.4. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Соединения III - V на основе галлия или индия3.3.5. Полупроводниковые подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлияалюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 100 Ом·м при 20 °C3.3.6. Подложки, определенные в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN)6.3.2.2. Материалы оптических датчиков: Монокристаллы (включая пластины с эпитаксиальными слоями) любого из следующего: а) теллурида цинка-кадмия (CdZnTe) с содержанием цинка менее 6% по мольным долям; б) теллурида кадмия (CdTe) любой чистоты; или в) теллурида ртути-кадмия (HgCdTe) любой чистотыПриказ ФТС России № 575 от 27.03.2012 |
| Квотирование | нет | |
| Преференциальный режим | нет | |
| Пошлина | нет | Решение Коллегии ЕЭК № 85 от 02.06.2015 |
| Специальная пошлина | нет | |
| Антидемпенговая пошлина | нет | |
| Компенсационная пошлина | нет | |
| Акциз | нет | |
| Депозит | нет | |
| НДС | 20 % | Федеральный закон № 117-ФЗ от 07.07.2003 |
| Сертификат соответствия продукции требованиям национальных стандартов | нет | |
| Декларация о соответствии продукции требованиям национальных стандартов | ! может требоваться | Товар не требует наличия декларации о соответствии, кроме товаров, входящих в Перечень товаров, подлежащих обязательному подтверждению соответствия и имеющих следующие характеристики: * Товары бытовой химии в аэрозольной упаковкеПостановление Правительства РФ № 982 от 01.12.2009 |
| Сертификат соответствия таможенного союза | нет | |
| Сертификат соответствия продукции требованиям технических регламентов | нет | |
| Свидетельство о государственной регистрации | нет | |
| Фитосанитарный сертификат | нет | |
| Ветеринарное свидетельство | нет | |
| Лицензирование | ! может требоваться | Товар не требует лицензирования, кроме товаров, входящих в Перечень товаров двойного назначения и имеющих следующие характеристики: 3.3.1.1. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Кремний (Si)3.3.1.2. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Германий (Ge)3.3.1.3. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Карбид кремния (SiC)3.3.1.4. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Соединения III - V на основе галлия или индия3.3.5. Полупроводниковые подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлияалюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 100 Ом·м при 20 °C3.3.6. Подложки, определенные в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN)6.3.2.2. Материалы оптических датчиков: Монокристаллы (включая пластины с эпитаксиальными слоями) любого из следующего: а) теллурида цинка-кадмия (CdZnTe) с содержанием цинка менее 6% по мольным долям; б) теллурида кадмия (CdTe) любой чистоты; или в) теллурида ртути-кадмия (HgCdTe) любой чистотыПриказ ФТС России № 575 от 27.03.2012 |
| Квотирование | нет | |
| Лицензирование | нет | |
| Квотирование | нет | |
| Решения о классификации | Реестр предварительных решений о классификации | |
| Решения о классификации | 48 Средство, являющееся растворителем, состоящим из смеси: изопропанола 10 %, метанола 20%, толуола 10%, бензинового дистиллята 40%, изобутилацетата 15%, предназначено для очистки различных поверхностей (стеклопластик, тентовые ткани, виниловые поверхности, металлические поверхности) от смолы, смазки, краски, парафина, масла и пр., поставляется в банках по 12 унций (~ 0,3 л).49 Растворитель представляет собой прозрачную жидкость от желтого до светло-зеленого цвета и состоит из смеси алифатических спиртов: метанола, этанола, пропанола-1, пропанола-2 - в сумме не больше 49% и смеси алифатических углеводородов - в сумме не меньше 51%. В составе растворителя содержится не более 51 % нефтепродуктов, полученных из битуминозных пород. Растворитель используется как высокоэффективный удалитель парафиновых отложений и остатков нефти в закрытых технологических циклах, очистки емкостей для транспортировки и хранения продуктов нефтепереработки и органического синтеза, очистки резервуаров станций переработки органических отходов.50 Растворитель представляет собой прозрачную жидкость от бесцветного до светло-желтого цвета и состоит из смеси алифатических спиртов: метанола по ГОСТ 2222-95, этанола по ГОСТ 18300-87, пропанола-1 по СТП ТУ СОМР 2-119-09, пропанола-2 по ГОСТ 9805-84 - в сумме не больше 49% и гексана (нефтепродукта, полученного из битуминозных пород) по СТП ТУ СОМР 1-005-06 - не меньше 51%. Растворитель используется как высокоэффективный удалитель парафиновых отложений и остатков нефти в закрытых технологических циклах, очистки емкостей для транспортировки и хранения продуктов нефтепереработки и органического синтеза, очистки резервуаров станций переработки органических отходов.51 Растворитель сложный органический, в состав которого входят: ацетон (10%), бутилацетат (5%), ксилол (15%), толуол (20%), бутиловый спирт (10%), метанол (40%), предназначен для разбавления нитроцеллюлозных и других лакокрасочных материалов. Растворитель поставляется в бочках весом нетто 160 кг. |
Примеры деклараций на экспорт
- соединения химические легированные, предназначенные для использования в электронике: пластины для светоизлучающих диодов, не разрезанные на кристаллы, тип пластин: "ddh725n" - 100 кв.см (14 шт.), "ddh810n" - 200 кв.см (28
- соединения химические легированные, предназначенные для использования в электронике: пластины для светоизлучающих диодов, не разрезанные на кристаллы, тип пластин: "ddh660p" - 400 кв.см (55 шт.), "ddh905n" - 60 кв.см (7 шт
- элементы химические легированные - параллелепипеды из полупроводникового материала, без содержания кремния, для использования в электронике, применяются в холодильной технике бытового назначения при температуре не ниже 20
- кристаллы тербий-галлиевого граната (tgg/tgg)- 1000 шт. длина 14мм(+/-0.3мм), ширина 3.2мм(+/-0.1мм), толщина 3.2мм(+/- 0.1мм). хим.состав: tb3ga2o12. используются в микроэлектронике для производства оптических изоляторов
- полупроводниковые монокристаллические пластины фосфида галлия (gap) легированного цинком (zn), концен-я легир. примеси >2х10(19) см(-3). исп. для науч. исследований в области электроники. регистрационный номер по кас отсут
- термоэлектрический материал согл.ту 1779-1сд-11300308-09 ввиду малых размеров и особых требований к транспортировке, упакованы в пластиковые контейнеры:маркировка №125-9385 2183
- термоэлектрический материал в слитках. диаметр 30мм, длина 120-150мм, согл.ту 1779-001-11300308-08: н-типа, маркировка №176-6857 2523
- соединения химические легированные, предназначенные для использования в электронике: пластины для светоизлучающих диодов, не разрезанные на кристаллы, тип пластин: "ddh660p" - 400 кв.см (55 шт.), "ddh740n" - 60 кв.см (6 шт
- пластины для светоизлучающих фотодиодов: тип mdh 810n - 100 см2, тип mdh 805n - 80 см2, длина волны излчения-660 нм. согласно ту 6365-016-07604787-2003. количество слоев 8, постоянное прямое напряжение 1,75 в, мощность изл
- соединения химические легированные, предназначенные для использования в электронике: пластины для светоизлучающих диодов, не разрезанные на кристаллы, тип пластин: "ddh660p" - 400 кв.см (55 шт.), "ddh870n" - 40 кв.см (4 шт
Примеры деклараций на импорт
- подложки gaas (арсенид галлия) легированные si (кремнием), в виде дисков, арт. wgs4aaappn-286a-1000 шт., диаметр 100.0+/-0.5 мм, толщина 450+/-25 мкм, с по
- монокристаллический карбид кремния (гетероэпитаксиальная структура "кремний на корунде") представляет собой круглую пластину диаметром 76,2мм, толщиной 350
- полупроводниковый светоотражающий материал предназначен для производства свч приборов - структура гетероэпитаксиальная на подложке из арсенида галлия в вид
- эпитаксиальные структуры легированные,в форме дисков,предназначенные для изготовления солнечных элементов: __1.0__ эпитаксиальные структуры-подложки из мон
- подлоджки в форме дисков предназначенные для изготовления гетероэпитаксильных структур, используемых в микроэлектронной промышленности: 1. подложки gaas (а
- подложки монокристаллического германия в форме дисков легированные,предназначенные для использования в электронике:
- подложки ge (германиевые) легированные галлием (ga), в виде дисков, арт. weg4acape1-286b-50 шт., диаметр 100.0+/- 0.1 мм, толщина 140+/-10 мкм, с отполиров
- кремний предназначенный для использования в микроэлектронике, в форме пластин, в специализированной вакуумной упаковке (пластины в кассете и пленке с вакуу
- монокристаллический арсенид галлия в виде калиброванных слитков длиной от 97мм до 150мм, диаметром 40мм, для производства полупроводниковой продукции ту 48
- пластина кремния легированная 4inch(диаметром 100 мм) толщина 350-380 микрон,полированная с 2-х сторон.3-20ohm t.0.05umприменяется в электричских датчиках
Описание 38
Описание: Группа 38 Описание: Прочие химические продукты
Примечания:
1. В данную группу не включаются:
а) отдельные элементы или соединения определенного химического состава, за исключением следующих:
1) искусственного графита (товарная позиция 3801);
2) инсектицидов, родентицидов, фунгицидов, гербицидов, противовсходовых средств и…
Прочитайте подробнееРасширенное описание 3818
3818Элементы химические легированные, предназначенные для использования в электронике, в форме дисков, пластин или в аналогичных формах; соединения химические легированные, предназначенные для использования в электронике
В данную товарную позицию включаются:
(1) Химические элементы группы 28 (например, кремний или селен),…
Прочитайте подробнееСоответствие кода ТН ВЭД и GTIP
Вы можете узнать, как код ТН ВЭД 3818009000 соответствует GTIP в Турции или HS CODE в Евросоюзе: 381800 gtip, hs code.
Автор материала
Ирина Серова
Материал подготовлен и актуален на 01.05.2026. Специалист по таможенному оформлению.
Имеет опыт сопровождения импортных поставок, подготовки документов и взаимодействия с участниками внешнеэкономической деятельности.