Код ТН ВЭД 8541290000

Описание

8541290000 - ПРОЧИЕ ТРАНЗИСТОРЫ, КРОМЕ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ МОЩНОСТЬЮ РАССЕИВАНИЯ БОЛЕЕ 1 ВТ

• 85 - Электрические машины и оборудование, их части; звукозаписывающая и звуковоспроизводящая аппаратура, аппаратура для записи и воспроизведения телевизионного изображения и звука, их части и принадлежности
• 8541 - Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые приборы; фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды; пьезо

Примеры таможенных деклараций на экспорт

1. транзисторы, мощностью рассеивания более 1вт для бытовой техники торговой марки "самсунг" / не лом электрооборудования, для гражданского применения/:
2. транзисторы, для гражд.вертолетов ми-8,ми-17
3. транзисторы для гарантийного и послегарантийного обслуживания бытовой техники фирмы "samsung":
4. транзисторы (не лом электрооборудования и электротехнич.узлов) для гарантийного и послегарантийного обслуживания бытовой техники фирмы "samsung":
5. транзисторы,( кроме фототранзисторов)мощностью рассеивания 4 вт ,для граждан.вертолета ми-8:
6. транзисторы,( кроме фототранзисторов)мощностью рассеивания 50 ;100вт ,для граждан.вертолета ми-8:
7. транзисторы, не лом электрооборудования, общепромышленного назначения; тип полупроводника: igbt; общепринятое наименование: транзистор (силовой модуль)
8. транзисторы, кроме фототранзисторов ,прочие: 1нт251а транзистор -- 20 шт
9. транзисторы (кроме фототранзисторов, не лом электрооборудования и электротехнич.узлов) для гарантийного и послегарантийного обслуживания бытовой техники фирмы "samsung":
10. кат. 6.2 транзисторы, кроме фототранзисторов, продукция по прилагаемому списку № 2: поз. 117 транзистор аа0.339.267 ту 2т841а -4шт; для техобслуживания рлс 1л117.

Примеры таможенных деклараций на импорт

1. транзисторы полупродниковые кремневого типа, мощностью рассеивания более 1вт, являются коплектующими источников бесперебойного питания торговой марки "eato
2. транзисторы более 1 вт упакованы в 100 пластиковых туб
3. транзисторы,биполярные с изолиров. затвором, для силовых источников питания ж.-д. транспорта,в модульном исполнении в корпусе igbt-транзистор напряжение 6.
4. транзистор для применения в производстве печатных плат, мощностью рассеивания 150 вт
5. транзисторы:
6. транзисторы с 360вт:
7. транзисторы мощностью рассеивания более 1 вт (не фототранзисторы, не лом электрооборудования и электротехнич.узлов) для гарантийного и послегарантийного об
8. (86)транзисторы мощностью рассеивания более 1 вт для сборки изделий и электронных плат
9. код окп 341780; транзистор полупроводниковый, кремниевый 1.38 вт,для промсборки тв., артикул:
10. транзистор полупроводниковый, для применения в производстве печатных плат, мощностью рассеивания 40 вт,

Примеры названий продукции для получения деклараций и сертификатов ТР ТС

1. с изолированным затвором, напряжение 220 Вольт,
2. Транзистор, номинальное напряжение 650 Вольт
3. Транзисторы электрические промышленного применения, модели CS*****N***A***, где «*» - любые цифры ( от 0 до 9), или буквы (A до Z) , либо их отсутствия, обозначающие модификацию изделия.
4. Транзисторы электрические промышленного применения, артикул 100019450
5. Транзистор не бытового назначения,
6. Транзисторы промышленные, напряжение от 75 до 1500 В постоянного тока, серия (тип) «IGBT»
7. Транзисторы полевые,
8. Транзистор
9. Транзистор модель IRHNJ5S97230
10. Транзистор,
11. Транзистор электрические, напряжение от 50 до 1000 В (включительно) переменного тока и от 75 до 1500 В (включительно) постоянного тока,
12. Транзисторные выходные оптопары напряжение питания от 50 до 1000 Вольт,
13. Выпрямительный диодный модуль
14. Транзисторные модули торговой марки "Omron" (напряжение 400В)
15. Транзисторный IGBT модуль, модель SKM195GB066D, SKM300GB12E4
16. Транзисторный модуль,
17. Силовые транзисторные модули, торговой марки "Zhejiang Huajing Rectifier", артикул HBSM100GB120D
18. Транзисторная сборка, на основе двух транзисторов
19. Оптоволоконный транзистор,
20. Транзисторный IGBT модуль, модель SKM600GB126D, SEMIX603GB12E4P, SEMIX603GB12E4P+P8
21. Транзисторы низковольтные силовые, напряжение 300 вольт
22. Изделия электротехнические: транзисторный IGBT модуль,
23. Широкополосный транзистор,
24. Транзисторы с маркировкой
25. Биполярный транзистор с изолированным затвором, напряжение до 1000 Вольт
26. Транзисторы электрические промышленного применения, артикул 100495953.
27. Силовой транзистор
28. Датчик температуры, модель: TEMP-3
29. Цифровой электронный усилитель сигнала управления
30. Микромоторы постоянного тока
31. Транзисторы полевые
32. Транзисторы для аккумуляторов, напряжение 80 Вольт
33. Транзисторы электрические промышленного применения, артикул 100782529.
34. Транзистор биполярный, на напряжение 400 вольт
35. Силовые транзисторы для поверхностного монтажа с номинальным напряжением 600 В, серии: NDF, NDD.
36. Транзистор полевой, сдвоенный, серии 2MBI100N-060, на напряжение 400 вольт
37. Силовой транзистор N-канальный
38. Модуль биполярных транзисторов
39. Модуль силовой ProX690-2E2-0 029.358909 - 2шт.,Модуль силовой ProX690-1E1-0L0H0 029.358908 - 2шт.
40. Транзисторы, напряжение от 75 до 1500 В постоянного тока, серия «IGBT»
41. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ),
42. Транзисторы биполярные, напряжение 1200 В постоянного тока, артикулы 5SMY 76H1280, 5SMY 86H1280, 5SMY 76J1280, 5SMY 86J1280, 5SMY 76K1280, 5SMY 86K1280, 5SMY 76M1280, 5SMY 86M1280
43. Транзисторы постоянного тока
44. Транзисторы, напряжением от 75 до 1200 вольт постоянного тока, модели FZ800R12KS4
45. Транзисторы полупроводниковые для установки на печатные платы общепромышленного назначения
46. Транзисторы, напряжение 400 Вольт
47. Транзисторы номинальное напряжение 84 Вольт Модели CGH40010F, CGH40010F-ND, CGH40045F, CGH40045F-ND
48. Транзисторы (постоянного тока)
49. Полевые транзисторы (N-канальный FREDFET транзисторы), (напряжение 500В, 1000В), торговой марки MICROSEMI, модели: APT34F100B2, APT37F50B. (продукция изготовлена в соответствии с директивами № 2004/108/CE " Электромагнит
50. Модули на биполярных транзисторах с изолированным затвором на напряжение до 1700 В и ток до 400 А (модели см. Приложение № 1 лист 1)

Описание 85

Описание: Группа 85 Описание: Электрические машины и оборудование, их части; звукозаписывающая и звуковоспроизводящая аппаратура, аппаратура для записи и воспроизведения телевизионного изображения и звука, их части и принадлежности

Примечания:

1. В данную группу не включаются:

а) одеяла, матрацы, подушки, грелки…

Расширенное описание 8541

8541Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые приборы; фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды; пьезоэлектрические кристаллы в сборе (+): 8541 10- диоды, кроме фотодиодов или светоизлучающих диодов -…

Соответствие кода ТН ВЭД и GTIP

Вы можете узнать, как код ТН ВЭД 8541290000 соответствует GTIP в Турции или HS CODE в Евросоюзе 854129 gtip, hs code

Подбор кода ТН ВЭД / Щеткина Ольга

1 500 ₽

Стоимость

3 990 ₽

Цена за 5 позиций

до 3 дней

Срок

Заявка

• Проверка на запрет ввоза либо вывоза
• Необходимый пакет документов
• Ввозная/Вывозная пошлина
• Право на экспортно-импортные операции
• Расчет платежей при ввозе
• Разрешительный порядок экспортно-импортных операций
• Обоснование подбора кода

Заказать Подбор кода ТН ВЭД

Мобильный телефон *

E-MAIL *

Ваше имя

Ирина Серова

Материал подготовлен и актуален на 01.02.2026
Ирина Дмитриева, специалист по таможенному оформлению.

Имею более 10 лет опыта в сфере управления проектами и сопровождения импортных поставок, включая разработку проектной документации, координацию работы команд до 20 человек и эффективное взаимодействие с ключевыми стейкхолдерами из разных стран. Работала в таких компаниях, как "ТрансЛогистик", "Глобал Транспорт Солюшнс" и "ИмпортЭксперт", где успешно реализовала множество проектов в транспортной и логистической отраслях. Обладаю высшим образованием в области инженерии транспортных систем, полученным в Московском государственном техническом университете (МГТУ), а также дипломом о профессиональной переподготовке в области управления проектами от Высшей школы экономики (ВШЭ). Кроме того, имею опыт волонтерской работы на международных спортивных мероприятиях, таких как Чемпионат мира по футболу и Олимпийские игры, где совершенствовала навыки организационной ответственности и межкультурного взаимодействия, а также обеспечивала поддержку участникам и координировала логистику событий.